Samsung Electronics réussit à développer le premier HBM3E à 12 couches du secteur... Production de masse au premier semestre

MSN - 27/02
Mise en œuvre de la plus grande capacité de l’industrie de 36 Go… Performances/capacité améliorées de plus de 50 % par rapport aux modèles précédents, avec la technologie de pointe TC NCF atteignant la même hauteur qu'un système à 8 étages... Caractéristiques thermiques améliorées (Séoul = Yonhap News) Le journaliste Jang Ha-na = Samsung Electronics [005930] a réussi à développer la première mémoire DRAM à large bande passante (HBM) de 5e génération de l'industrie qui empile des puces DRAM en 12 couches. 36 gigaoctets (Go), le plus grand du secteur...

Mise en œuvre de la plus grande capacité de l’industrie de 36 Go… Performances/capacité améliorées de plus de 50 % par rapport à la version précédente

La même hauteur que le 8 étages avec la technologie de pointe TC NCF... Propriétés thermiques améliorées

(Séoul = Yonhap News) Le journaliste Jang Ha-na = Samsung Electronics [005930] a réussi à développer la première mémoire DRAM à large bande passante (HBM) de 5e génération de l'industrie qui empile des puces DRAM en 12 couches.

Ce produit a la plus grande capacité du secteur, soit 36 ​​gigaoctets (Go), et Samsung Electronics prévoit de dominer le marché des HBM haute capacité en le produisant en masse au cours du premier semestre.

Samsung Electronics a annoncé le 27 avoir atteint la plus grande capacité du sec...
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