Oxyde d'hafnium: une future révolution dans le stockage informatique ?

TechnoScience - 08/02
Les scientifiques se tournent vers l'oxyde d'hafnium, ou hafnia, pour révolutionner la mémoire informatique. Ce matériau, étudié notamment par Sobhit Singh de l'Université...
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Les scientifiques se tournent vers l'oxyde d'hafnium, ou hafnia, pour révolutionner la mémoire informatique. Ce matériau, étudié notamment par Sobhit Singh de l'Université de Rochester, pourrait permettre le développement de mémoires ferroélectriques non-volatiles, offrant ainsi une alternative plus rapide, moins coûteuse et plus économe en énergie (Dans le sens commun l'énergie désigne tout ...
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