L'Institut de microélectronique de l'Académie chinoise des sciences a réalisé d'importants progrès dans le domaine de la nouvelle mémoire

MSN - 19/07

IT Home News le 19 juillet, l'Institut de microélectronique de l'Académie chinoise des sciences a publié un article aujourd'hui, et l'équipe de l'académicien Liu Ming de l'Institut de microélectronique a proposé une mémoire résistive autosélectionnable de type sans filament basée sur la structure de TiN/TiOxNy/TiOx/NbOx/Ru, et l'a réalisée sur une structure verticale tridimensionnelle à 16 couches. Selon les rapports, la mémoire a atteint une augmentation de 50 fois de la densité de courant à l'état passant et atteint une non-linéarité élevée (> 5000). La formation de la barrière de pic interne de TiOx améliore efficacement la...

Tags : Académie chinoise des sciences - Académie chinoise des sciences - Microélectronique - Mémoire -

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